国产内存条 DDR4

自2016年以来，内存价格飙升至近400%，尽管现已回落，但仍高于上涨前的水平。固态硬盘在经历了长时间的涨价后，终于开始显露出降价的势头。这让一直有裝机需求的用户颇为不满。为了抑制内存降价，内存厂商竟然采用控制产能的方式来维持利润；为了持续高收入，芯片巨头出奇一致地联合涨价，甚至垄断性地限制价格，这使得中国裝机用户深受其害。如今，我们终于迎来了一个好消息：从2019年起，中国三大储存公司将实现内存和闪存的量产。小狮子激动万分，不禁潸然泪下。

这是国产储存芯片发展的希望

据台湾电子时报报道，2019年，中国大陆地区将有三大储存芯片厂竣工并投入量产。目前，长江储存正在准备其首个订单，即生产8GB容量的SD储存卡，订单规模为一万套32层3D NAND闪存芯片。在产品研发方面，长江储存正在研发64层的3D NAND闪存，计划在2018年底前推出样品。

与长江储存不同，晋华公司和Innotron主要负责DRAM内存芯片的制造。据说前者已开始试产8Gb LPDDR4内存芯片，而后者则预计明年量产采用19nm技术的8Gb DDR4内存芯片。

国产闪存和内存芯片的崛起促使韩国政府重视芯片产业

中国是全球最大の芯片进口囯，而芯片则是韩国最大的出口产品。也就是说，中国是韩国芯片最大の消费囯。如今，中国国产芯片终于取得了一些成绩，引起韩国政府重视。韩国工业部长日前表示，韩国政府将加大对大型研发项目的支持，开发尖端内存芯片，以应对中国竞争对手的崛起。

从中可以看出，中国国力的增强对全球产业链的影响深远。虽然这么說可能有些过誉，但事实却不容否认。毕竟中国人口众多，每年裝机量绝对不小，如果大批用户选择国产储存芯片产品，確實會对国际储存芯片厂商产生巨大的影响。

不可否认的是，国产内存和闪存技术的进步空间还很大

国产储存厂商在芯片研发上投入了巨资，现在终于看到了實質成效，让广大消费者看到了希望。我们必须承認，国产储存芯片的技术水平还远远不够。我们前面提到长江储存的第一个订单是32层3D NAND闪存芯片，而日前东芝已宣布研发成功96层堆叠3D QLC闪存原型，采用了东芝的BiCS立体堆叠技术并与西数合作完成。不同层数的3D闪存有何不同？

我们可以把3D闪存比作建造大厦，修建32层和96层大厦耗费的精力肯定不同。96层堆叠能够实现更高的闪存容量，单芯片最大容量可达1.33Tb，而且可以采用16颗芯片堆叠架构封装，单个封装就能提供2.66TB的惊人容量。这样一来，同样颗粒数的96层堆叠闪存的容量要远远大于32层堆叠闪存，所需要克服的技术难度也更大。毕竟，大厦修得越高，保持同样的稳定性和安全性并非易事。

我们对国产储存芯片产业的发展充满期待

如今，国产储存芯片产业已有一个良好的开端，为中国消费者带来了新的希望。たとえ最新的技術水準還存在差距，我們也愿意等待国产芯片的崛起。外界普遍认为，隨著中国储存芯片公司产能的不断扩大，全球内存闪存芯片市场的價格有望出現下调。既然中国闪存和内存芯片的发展能够帶來如此巨大的影響，在这个差距依旧巨大的时代，认清我们与别人的差距，把握好方向，奋起直追就是现在国产闪存、 内存芯片厂商最应当做的事情。

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